分野別プログラム

領域4

10日 D15会場 10aD15 9:00〜12:30

領域4
半導体スピン・量子井戸・超格子

1
自由エネルギー計算に基づく六方晶Siの結晶多形の研究
東工大理
北玲男, 豊田雅之, 斎藤晋
2
Cyclotron Resonance in InxGa1-xN/AlGaN Heterostructures
NIMSA, Hokkaido Univ.B
Dickson KindoleA, B, Yasutaka ImanakaA, B, Kanji TakehanaA, Masatomo SumiyaA
3
光学フォノンエネルギー近傍におけるInGaAs二次元電子系のサイクロトロン共鳴
物材機構, 大阪工大A, 北陸先端大B, 阪大C
今中康貴, Dickson Kindole, 竹端寛治, 山田省二A, 赤堀誠志B, 日高志郎C
4
InGaAs 2次元電子ガス2層系におけるスピン軌道相互作用の機構解明
大阪工大, 阪大A, 北陸先端大B
山田省二, 藤元章, 日高志郎A, 赤堀誠志B
5
InAs/GaSb量子井戸におけるスピン軌道相互作用に由来する異方的な電気伝導度の観測
NTT物性研
入江宏, Dyon van Dinter, 秋保貴史, 小野満恒二, 村木康二
6
三方晶Teにおける電流誘起NMRシフトの磁場極性依存性と電流誘起磁性の関係
東理大理, 岡山大基礎研A
小笠原直輝, 渡邉悠太, 田中光児, 古川哲也, 小林夏野A, 伊藤哲明

休憩 (10:30〜10:45)

7
Rashba電子系におけるスリット型電子干渉実験の理論研究
東大工, 早大先進理工A
清水宏太郎, 望月維人A
8
Rashba外場により変調されたIV族半導体量子二次元系における正孔間相互作用とスピン歳差II
早大理工
東条樹, 武田京三郎
9
(111)非対称二重量子井戸におけるスピン緩和スイッチング
北大工
飯島智徳, 江上喜幸, 明楽浩史
10
空間反転対称性が破れたスタネンにおける電流誘起スピン偏極
北大院工
大原浩平, 明楽浩史
11
曲率を持つ原子鎖における電流誘起スピン偏極とスピン偏極電流
北大院工
矢田部優哉, 明楽浩史
12
カイラル誘起スピン選択性の量子動力学的研究
分子研A, プリンストン大B, 総研大C
加藤彰人A, 池田龍志A, B, 石崎章仁A, C
13
強い電場による真空や半導体からの自発的なスピン流生成
Fudan Univ.A, UCASB, RIKENB, JAEAB
田屋英俊A, Xu-Guang HUANGA, 松尾衛B

10日 D16会場 10aD16 9:00〜12:15

領域4(1番目のみ領域7と合同)
トポロジカル絶縁体・半金属(理論)1

1
単層黒リンのトポロジカルエッジ状態
阪大理
人見将, 越野幹人
2
2DSSHモデルにおけるトポロジカルエッジ状態の解析計算
関西学院大理工
尾花大地, LIU Feng, 若林克法
3
2次元トポロジカル絶縁体における散逸的スピンポンピング
原子力機構, 東大物性研A, 東北大金研B
荒木康史, 三澤貴宏A, 野村健太郎B
4
二次元量子ウォークにおける time-glide symmetry に守られたエッジ状態
北大工, 京大基研A
望月健, 別所拓実A, 佐藤昌利A, 小布施秀明
5
Layer constructionによる映進対称性を持つ系のトポロジカル不変量
東工大理A, 京大基研B, 東工大元素戦略研究セC
Heejae KimA, 塩崎謙B, 村上修一A, C
6
高次トポロジカル絶縁体における境界条件の変化に伴うヒンジ状態の出現
東工大理A, 東工大元素戦略研究セB
田中悠太朗A, 高橋亮A, 村上修一A, B

休憩 (10:30〜10:45)

7
ノーダルライン物質の物性
東大理
小形正男, 松浦弘泰, 立石幾真
8
強磁性トポロジカル半金属における相図:面内磁化の下で安定に存在する線ノード
中国科学院大学Kavli-ITS, 名大理A, 東北大金研B
大湊友也, 山影相A, 野村健太郎B
9
磁性ワイル半金属における磁気構造と電荷分布の相関
中国科学院大学Kavli-ITS, 東北大金研A
大湊友也, 野村健太郎A
10
ワイル半金属中のランダムな磁区による磁気抵抗効果
東北大金研
小林浩二, 野村健太郎
11
アンチペロブスカイト系ディラック半金属における磁気円二色性
京大基研
田口勝久, 川上拓人, 佐藤昌利
12
Berry曲率を有する系における輸送現象を記述する温度勾配を含んだ量子動力学方程式の導出とその応用
理研CEMSA, 東大工B
関根聡彦A, 永長直人A, B

10日 D16会場 10pD16 13:30〜17:00

領域4
トポロジカル超伝導(理論)

1
トポロジカル超伝導体の表面状態の分類
京大基研
塩崎謙
2
トポロジカル超伝導元素TlにおけるカイラルMajoranaモード
理研CEMSA, 東大工B
平山元昭A, 野本拓也B, 有田亮太郎B
3
量子異常ホール・異方的超伝導体ハイブリッド系における表面状態
名大工, 名大高等研A
大橋良伊, 小林伸吾A, 田仲由喜夫
4
反強磁性金属とd波超伝導体の接合に関する研究
名古屋大工
鈴木克弘, 田村駿, 田仲由喜夫
5
異軌道間トポロジカル超伝導状態における酸化物界面系のジョセフソン接合の理論
名大工, SPIN-CNRA
深谷優梨, 田村駿, 矢田圭司, 田仲由喜夫, Paola GentileA, Mario CuocoA
6
ラシュバナノワイヤーの接合系におけるジョセフソン電流の計算
名大工
高木大治郎, 田仲由喜夫

休憩 (15:00〜15:15)

7
トポロジカル結晶超伝導体におけるマヨラナクラマース対の電磁気応答の理論
名大理, 名大高等研A, 名大工B
山崎勇樹, 小林伸吾A, B, 山影相
8
クラスDトポロジカル超伝導体におけるMajorana Braiding Dynamicsと非可換統計性
阪大院基礎工
三野巧, 水島健, 鶴田篤史, 藤本聡
9
Weyl半金属における非エルミート効果とLandau準位のスペクトル崩壊
阪大基礎工
松下太樹, 水島健, 藤本聡
10
3次元カイラル超伝導体における異方的スピン緩和率
名大工
前納行希, 小林伸吾, 川口由紀
11
超伝導Sr2RuO4のスピン一重項-三重項混成状態におけるトンネルコンダクタンス
名大工
矢田圭司, 鈴木修, 田仲由喜夫, 柏谷聡
12
カイラル対称性のある系における奇周波数超伝導クーパー対の研究2
名大工, 埼玉大理A
田村駿, 星野晋太郎A, 田仲由喜夫
13
トポロジカル超伝導体における異常近接効果の研究
名古屋大工
田村駿, 田仲由喜夫

10日 K23会場 10pK23 13:30〜17:00

領域7(13番目のみ領域4と合同)
有機ディラック系

1
τ型有機導体におけるディラック電子とトポロジカルギャップ
東大物性研
長田俊人
2
常圧masslessディラック電子系Pt(dmdt)213C NMR測定
東大工, 日大文理A
関根孝彦, 須波圭史, 竹原陵介, 宮川和也, 周彪A, 小林昭子A, 鹿野田一司
3
α-(BETS)2I313C NMR
理研
藤山茂樹, 加藤礼三
4
有機導体α-(BETS)2I3の低温相における電子間相互作用の効果
名大理, 東大物性研A
小林晃人, 大木大悟, 吉見一慶A
5
α-(BEDT-TTF)2I3の圧力下のバンド構造と電子比熱の理論
熊本大教育, 兵庫県立大物質理学A
岸木敬太, 今福晴仁, 築出啓太, 長谷川泰正A
6
有機導体α-(BEDT-TTF)2I3における電子相関効果と温度圧力相図
早大先進理工, 東大理A
田中康寛, 小形正男A
7
有機ディラック電子系におけるエキシトニック不安定性の研究
東北大金研, 名大理A, 東大物工B, 東理大理工C
平田倫啓, 大木大吾A, 小林晃人A, 宮川和也B, 鹿野田一司B, 田村雅史C

休憩 (15:15〜15:30)

8
有機ディラック電子系α-(BEDT-TTF)2I3の圧力下磁化率と抵抗測定
物材機構
鴻池貴子, 寺嶋太一, 杉浦栞理, 廣瀬陽代, 菊川直樹, 宇治進也
9
有機ディラック電子系の高磁場下輸送現象
東邦大A, 理研B, 分子研C, 東北大D
鵜野澤佳成A, 川椙義高A, B, 須田理行C, 山本浩史B, C, 加藤礼三B, 木俣基D, 西尾豊A, 梶田晃示A, 田嶋尚也A, B
10
有機ディラック電子系α-(BETS)2I3とα-(BEDT-STF)2I3の輸送特性
東邦大理A, 理研B, 愛媛大院理工C
小原遼太郎A, 川椙義高A, B, 加藤礼三B, 西尾豊A, 梶田晃示A, 田嶋尚也A, B
11
有機ディラック電子系alpha-(BEDT-TTF)2I3の電荷秩序近傍における輸送現象
名大理, 豊田高専A
大木大悟, 大森有希子A, 小林晃人
12
α-ET2I3のゼーベック係数に対する電荷秩序効果
東理大工, 東理大A
山本貴博, 福山秀敏A
13
ゼーベック係数へのフェーゾン・ドラッグ効果
東京理科大, 東大理A
福山秀敏, 小形正男A

10日 K37会場 10pK37 13:30〜17:00

領域5,領域1,領域4,領域7,領域8
高次高調波発生の最近の進展;発生機構と物質科学への応用

1
(一般シンポジウム講演)趣旨説明
東京工業大学理学院(東工大理学院化学)
沖本洋一
2
(一般シンポジウム講演)高次高調波によるアト秒パルス発生の現状と展望
東京大学物性研究所(東大物性研(実験))
板谷治郎
3
(一般シンポジウム講演)半導体・金属薄膜からの高次高調波発生
京都大学理学部(京大理)
内田健人
4
(一般シンポジウム講演)強相関金属・超伝導体における高調波発生の非摂動機構
東北大理学部(東北大理(実験))
岩井伸一郎
5
(一般シンポジウム講演)超伝導体からのテラヘルツ高調波発生
東京大学低温センター(東大低セ)
島野亮

休憩 (15:20〜15:35)

6
(一般シンポジウム講演)Floquet理論を用いた固体高次高調波の研究
東京大学物性研究所(東大物性研(理論))
池田達彦
7
(一般シンポジウム講演)強相関電子系およびスピン系における高次高調波発生
東京工業大学理学院(東工大理学院物理)
村上雄太
8
(一般シンポジウム講演)低次元相関電子系の高次高調波発生とその機構
東北大理学部(東北大理(理論))
石原純夫
9
(一般シンポジウム講演)まとめ
東京大学本部(東大本部)
辛埴

10日 PSA会場 10pPSA 13:30〜15:30

領域4
領域4ポスターセッション

43
ディラック半金属EuMnBi2の量子ホール状態における209Bi NMR
名大院理, 東北大金研A, 阪大理B, 阪大基礎工C, JSTさきがけD
熊崎将司, 清水康弘, 伊藤正行, 増田英俊A, 酒井英明B, D, 石渡晋太郎C, D
44
コルビノ型電極による量子アンチドットの微小電流測定
東工大理A, NTT物性基礎研B
秦徳郎A, 内野智貴A, 秋保貴史B, 村木康二B, 藤澤利正A
45
SU(N)Anderson模型の非線形感受率の1/(N-1)展開
大阪市大理A, 大阪市大NITEPB
一町ほのかA, 寺谷義道A, 小栗章A, B
46
3重量子ドット系の近藤領域におけるAndreev散乱と非局所伝導度
大阪市大理A, 大阪市大NITEPA, B, NTT物性基礎研C, 先端力学シミュレーション研究所D
橋本将史A, 寺谷義道A, 小栗章A, B, 山田康博C, 田中洋一D
47
ジグザグ型グラフェンナノリボンの電気伝導特性
成蹊大理工
澁谷航, 富谷光良, 坂本昇一
48
30@にねじれた2層グラフェン準結晶の量子ホール効果
九大総理工
小川名太一, 坂口英継
49
Z形グラフェンナノリボン量子ドット接合のギャップ内状態に対する欠陥の影響
岐阜大院自然
志知佑紀, 青木正人
50
ホウ素をドープしたヘテロ接合をもつグラフェンナノリボンのギャップ内状態
岐阜大院自然
上田悠貴, 青木正人
51
空間反転対称性が破れた結晶における電子流体力学
京大理, カリフォルニア大学バークレー校A
兎子尾理貴, 高三和晃A, 川上則雄
52
Temperature-dependant negative differential resistance in graphene-based transistors
Nanoelectronics Group, Dept. of Eng. Sci. and Ocean Eng., Nat’l Taiwan Univ.
Peng Tseng, Wen-Jeng Hsueh
53
アームチェア型CNT/BNNTの電気伝導特性
成蹊大理工
石井克明, 富谷光良, 坂本昇一
54
4層グラフェンにおける伝導度測定および雑音測定
阪大理A, 東大 知の物理学研究センターB
Lee SanghyunA, 浅野拓也A, 坂井康介A, 新見康洋A, 小林研介A, B
55
グラフェンにおける周期的キャリア密度変調を用いたプラズモン制御
NTT物性基礎研
吉岡克将, Ngoc Han Tu, 佐々木智, 高村真琴, 熊田倫雄
56
雑音測定を用いたグラフェン量子ホールブレークダウン前駆現象検出の試み
阪大理, 阪大CSRNA, 東大知の物理学センターB
坂井康介, Lee Sanghyun, 浅野拓也, 荒川智紀A, 新見康洋A, 小林研介B
57
高温超伝導体Bi2212/グラフェン接合素子の作製
阪大理A, NIMSB, 東大 知の物理学研究センターC, 阪大CSRND
鈴木将太1, 岩崎拓哉2, 森山悟士2, 中払周2, 若山裕2, 宮坂茂樹1, 田島節子1, 小林研介1, 3, 新見康洋1, 4
58
二重正方格子型円形凹みを持つグラフェンの磁気抵抗
中大理工
和田優希, 渡邉寛人, 若林淳一
59
カイラル構造を持つIrGe4の単結晶育成と物性測定
首都大院理
千葉優馬, 大村瑠美, 東中隆二, 松田達磨, 青木勇二
60
ノーダルライン半金属CaAgPの元素置換効果II
名大院工, 名大院理A
三枝一茂, 岡本佳比古, 山影相A, 山川洋一A, 竹中康司
61
第一原理計算によるスピンバレートポロジカル相を示すヘテロ界面の物質設計
阪大産研
嶋津亮真, 山内邦彦, 小口多美夫
62
MBEにより成長した磁性トポロジカル結晶絶縁体(Sn,Mn)Te薄膜の構造解析と磁化特性
筑波大数理物質A, 東大理B, 高エネ研C
友弘雄太A, 嶋野武A, 秋山了太B, 仁谷浩明C, 黒田眞司A
63
ゼロギャップ組成(Pn,Sn)TeへのMn添加磁性混晶の薄膜成長と磁化特性
筑波大数理物質A, 東大理B
嶋野武A, 友弘雄太A, 秋山了太B, 黒田眞司B
64
Bi/Ni薄膜における超伝導特性の細線幅依存性
阪大理A, 阪大CSRNB, 復旦大学物理系C, 東大理D
徳田将志A, 岩下孔明A, 壁谷奈津紀A, 谷口祐紀A, 荒川智紀A, B, 新見康洋A, B, 小林研介A, D, Gong Xin-XinC, Yue DiC, Jin Xiao-FengC
65
ワイル半金属WTe2のNMRによる磁気特性の研究
名大院理
横尾理樹, 清水康弘, 伊藤正行
66
原子層超伝導ZrTe3-xSex薄膜における電気伝導特性
阪大院理A, 阪大CSRNB, 東大 知の物理学研究センターC
藤原聖士A, 横井雅彦A, 荒川智紀A, B, 小林研介A, C, 新見康洋A, B

11日 D15会場 11aD15 9:00〜12:15

領域4(後半7~12番目のみ領域7との合同)
遷移金属ダイカルコゲナイド

1
Spin polarised transmission of holes through a potential barrier in transition metal dichalcogenides
Univ. of LeicesterA, Univ. of TokyoB, AISTC
P. MaksymA, B, H. AokiB, C
2
ミスフィット層状化合物(PbSe)1+δ(TiSe2)2における高次元密度波
理研CEMS, 岡山大物理A, 岡山大基礎研B
幸坂祐生, 上野哲平A, 町田理, 花栗哲郎, 秋光純B, 小林夏野A, B
3
NbSe2超薄膜におけるPauli極限-軌道極限のクロスオーバー
東大院工A, 理研CEMSB, 東大物性研C, 東北大金研D
松岡秀樹A, 中野匡規A, B, 小濱芳允A, C, 王越A, 柏原悠太A, 吉田訓A, 松井一樹C, 下起敬史A, 大内拓D, 石坂香子A, B, 野島勉D, 川﨑雅司A, B, 岩佐義宏A, B
4
TaSe2薄膜におけるエピタキシャル歪みと輸送特性
東大院工A, 理研CEMSB
田中勇貴A, 松岡秀樹A, 中野匡規A, B, 岩佐義宏A, B
5
ファンデアワールス・ヘテロ界面におけるゼーマン型スピン軌道相互作用を用いた磁性変調
東大院工A, 理研CEMSB, 原子力機構C
松岡秀樹A, 中野匡規A, B, 山本慧C, 家田淳一C, 岩佐義宏A, B
6
Magnetic properties of atomically-thin chromium telluride thin films grown by molecular-beam epitaxy
Dept. of Appl. Phys., Univ. of TokyoA, RIKEN CEMSB
Yue WangA, Masaki NakanoA, B, Satoshi YoshidaA, Hideki MatsuokaA, Kyoko IshizakaA, B, Yoshihiro IwasaA, B

休憩 (10:30〜10:45)

7
VX2(X= Se,Te)原子層薄膜のCDW転移:高分解能ARPES
東北大院理A, 東北大WPI-AIMRB, 東北大CSRNC
菅原克明A, B, C, 中田優樹A, 藤井和樹A, 中山耕輔A, 相馬清吾B, C, 高橋隆A, B, C, 佐藤宇史A, B, C
8
ガスセンサー応用に向けた二硫化モリブデンとグラフェンのファンデルワールスヘテロ接合
大工大工A, 大工大ナノ材研B, 兵庫医大物理C
藤元章A, B, 前田翔児A, B, 井須亮太A, B, 阪本恵一A, 俣野健太郎A, 寺澤大樹C, 福田昭C, 小山政俊A, B, 原田義之A, B, 小池一歩A, B, 佐々誠彦A, B, 矢野満明A, B
9
1T-HfTe2における次元性制御:高分解能ARPES
東北大院理A, 東北大WPI-AIMRB, 東北大CSRNC, NSRRCD, 阪大産研E, 埼玉大院理工F
中田優樹A, 菅原克明A, B, C, Ashish ChainaniD, 山内邦彦E, 中山耕輔A, 相馬清吾B, C, Pei-Yu ChuangD, Cheng-Maw ChengD, 小口多美夫E, 上野啓司F, 高橋隆A, B, C, 佐藤宇史A, B, C
10
単層遷移金属ダイカルコゲナイド超伝導体-半導体面内接合における電気伝導特性の理論的解析
北大工
羽部哲朗
11
MoS2を用いたコーナー型超伝導接合における超伝導電流の磁場依存性
名大工A, 産総研B, 日女大理C, 東工大フロンティア研D
津村公平A, 日比崇仁A, 矢野力三A, 小柳正男B, 柏谷裕美B, 石黒亮輔C, 笹川崇男D, 柏谷聡A, B
12
原子層面内ヘテロ接合界面における電流励起発光
名大工, 首都大理工A, 京大エネ研B
蒲江, 和田尚樹A, Wenjin ZhangB, 高口祐平A, 中西勇介A, 松田一成B, 宮内雄平B, 宮田耕充A, 竹延大志

11日 D16会場 11aD16 9:00〜12:30

領域4
トポロジカル絶縁体・半金属(理論)2

1
カイラル対称性に由来する高次トポロジカル相
東北大AIMR, 産総研Matham-OILA
奥川亮, 林晋A, 中西毅A
2
空間反転対称な絶縁体におけるバルク・エッジおよびバルク・ヒンジ対応
東工大理A, 東工大元素戦略研究セB
高橋亮A, 田中悠太朗A, 村上修一A, B
3
入り組んだ端構造をもつ四極子トポロジカル絶縁体のゼロ・エネルギー状態
広大院先端
高根美武
4
畳み込みニューラルネットワークで求めた空孔を持つトポロジカル物質の相図
上智大理工
真野智裕, 大槻東巳
5
トリプチセン重合体におけるフラットバンドと高次トポロジカル相の理論
筑波大数理
溝口知成, 丸山実那, 岡田晋, 初貝安弘
6
Spring-mass模型におけるHigher-orderトポロジカル相
筑波大数理
若尾洋正, 吉田恒也, 荒木広夢, 溝口知成, 初貝安弘

休憩 (10:30〜10:45)

7
メカニカル系における対称性に保護されたエクセプショナルリング
筑波大数理
吉田恒也, 初貝安弘
8
例外点と非エルミートトポロジカル半金属の分類
京大基研A, 東大理B
別所拓実A, 川畑幸平B, 塩崎謙A, 佐藤昌利A
9
非エルミート・トポロジカル相におけるバルクエッジ対応
広大先端研
井村健一郎, 高根美武
10
非エルミート・トポロジカル相の輸送特性
広大先端研, 東大理A, 東大生産研B, 北大工C
井村健一郎, 川畑幸平A, 羽田野直道B, 小布施秀明C
11
非エルミート系におけるブロッホバンド理論
東工大理A, 東工大元素戦略研究セB
横溝和樹A, 村上修一A, B
12
無限小摂動に誘起された非エルミートトポロジカル相転移
京大基研
大熊信之, 佐藤昌利
13
カイラル対称性に守られた非エルミートトポロジカル相と静磁場に対する応答
京大理A, 筑波大数理B
木村和博A, 吉田恒也B, 川上則雄A

11日 D15会場 11pD15 13:30〜17:00

領域4
量子ドット・量子細線

1
GaN FET における量子ドット形成
東北大通研, ロームA
阿部峰也, 北田孝仁, 伊藤範和A, 田中岳利A, 中原健A, 大塚朋廣
2
量子ドット系でのスピン緩和率における電子相関効果の検証
東大物性研, 阪大産研A
吉見一慶, 木山治樹A, 大岩顕A, 加藤岳生
3
GaAs二重量子ドットにおけるパウリスピン閉塞効果の完全計数統計
理研, JSTさきがけA, 九大理B, Ruhr大C
松尾貞茂A, 黒山和幸, 藪中俊介B, Sacha ValentinC, Arne LudwigC, Andreas WieckC, 樽茶清悟
4
磁場中のAnderson不純物の非線形応答に対するトンネル結合の非対称性の効果
大阪市大理A, 大阪市大NITEPB, 東大物性研C
堤和彦A, 寺谷義道A, 小栗章A, B, 阪野塁C
5
InAsナノ細線ジョセフソン接合におけるシャピロステップのゲート依存性
東京大工A, 理研CEMSB, フランス国立科学研究センターC, 北京大D, ルンド大E
上田健人A, 松尾貞茂B, 鎌田大C, 佐藤洋介A, 武重有祐A, K LiD, S JeppesenE, L SamuelsonE, H.Q. XuD, E, 樽茶清悟A, B
6
三端子量子ドットの端子間のエンタングルメント
物性研, 大阪市大理A, 慶大理工B
阪野塁, 小栗章A, 江藤幹雄B

休憩 (15:00〜15:15)

7
トリプルゲート量子ポイントコンタクトのポテンシャル形状
東北大理, 茨城大工A
高橋基, M. H. Fauzi, 長瀬勝美, 佐藤健, 青野友祐A, 平山祥郎
8
電子正孔非対称な量子ドットにおける電流ゆらぎのFermi液体補正
大阪市大理A, 大阪市大NITEPB, 東大物性研C
小栗章A, B, 寺谷義道A, 阪野塁C
9
SU(N)Anderson不純物の非平衡電流におけるフェルミ流体効果II
大阪市大理A, 大阪市大NITEPB
寺谷義道A, 小栗章A, B
10
表面弾性波に駆動された伝導電子によるコヒーレントトンネル振動
理研, 産総研A, ルール大B
伊藤諒, 高田慎太郎A, A. LudwigB, A.D. WieckB, 樽茶清悟, 山本倫久
11
多重ゲート量子ポイントコンタクトを用いた抵抗検出核磁気共鳴
東北大理1, 東北大CSRN2, 東北大CSIS3
祖父江剛士1, M. H. Fauzi2, 高橋基1, 長瀬勝美1, 佐藤健1, 平山祥郎1, 2, 3
12
Transport through double quantum dot in parallel in three-terminal setup
慶大理工, 東大物性研A
Zhang Yujie, 阪野塁A, 江藤幹雄
13
4重量子ドットにおける4電子スピン状態測定法の開発
理研CEMSA, 東大工A, 東北大B, Ruhr-Univ. BochumC
伊藤匠B, 大塚朋廣B, 中島峻, Matthieu Delbecq, 天羽真一, 米田淳, 武田健太, 野入亮人, Giles Allison, Arne LudwigC, Andreas D. WieckC, 樽茶清悟

11日 D16会場 11pD16 13:30〜17:00

領域4(1番目 チュートリアル講演のみ領域8,領域9と合同)
トポロジカル絶縁体(実験)

1
(チュートリアル講演)高品質3次元トポロジカル絶縁体の合成と応用
東北大理
谷垣勝己
2
Bi1.5Sb0.5Te1.7Se1.3薄膜における熱電特性の膜厚依存性
東北大院理A, 東北大 AIMRB
永田一将A, 松下ステファン悠A, Kim Khuong HuynhB, 谷垣勝己A, B
3
Sn-Bi1.1Sb0.9Te2Sにおける表面ディラック電子による量子ホール効果とゼーベック係数
東北大院理A, 東北大AIMRB
松下ステファン悠A, 市村翔A, 永田一将A, Kim-Kuong HuynhB, 谷垣勝己A, B
4
コルビノ型電極配置による高絶縁性トポロジカル絶縁体の単一表面伝導特性評価
産総研A, 東工大フロンティア研B
三澤哲郎A, B, 福山康弘A, 中村秀司A, 岡崎雄馬A, 名坂成昭B, 江連大貴B, 金子晋久A, 浦野千春A, 笹川崇男B

休憩 (15:00〜15:15)

5
トポロジカル絶縁体表面における半整数量子ホール伝導度の検出
東大工A, 理研CEMSB, 東北大金研C
茂木将孝A, 岡村嘉大A, 川村稔B, 吉見龍太郎B, 安田憲司A, 森本高裕A, 塚崎敦C, 高橋圭B, 高橋陽太郎A, B, 永長直人A, B, 川崎雅司A, B, 十倉好紀A, B
6
磁性トポロジカル絶縁体MnBi2Te4の結晶作製と電気伝導評価
東大生研
服部裕也, 徳本有紀, 枝川圭一
7
室温強磁性トポロジカル絶縁体MnTe/ (Bi1-xSbx)2Te3の電気伝導特性
東大理, Inst. of Automation and Control Processes FEB RASA, Sch. of Natural Sci., Far Eastern Federal Univ.B
高城拓也, 秋山了太, I. A. KibirevA, B, A. V. MatetskiyA, B, 遠山晴子, 中西亮介, 樋渡功太, A. V. ZotovA, B, A. A. SaraninA, B, 長谷川修司
8
磁気近接相互作用による量子異常ホール効果の観測
理研CEMS, 東大工A, 東北大金研B
吉見龍太郎, 渡邊竜太A, 川村稔, 茂木将孝A, 塚﨑敦B, 于秀珍, 中島清美, 高橋圭, 川﨑雅司A, 十倉好紀A
9
積層トポロジカル絶縁体薄膜のディラック電子制御:高分解能ARPES
東北大院理A, 東北大WPI-AIMRB, 東北大CSRNC, 阪大産研D
佐藤匠A, 中田優樹A, 菅原克明A, B, C, 相馬清吾B, C, 高坂祟雄D, 山内邦彦D, 小口多美夫D, 高橋隆A, B, C, 佐藤宇史A, B, C
10
Bi1-xSbxにおける209Bi核スピン格子緩和率測定
名大院理, 東工大フロンティア研A, Princeton Univ.B
渡邊幸裕, 清水康弘, 伊藤正行, 江連大貴A, 笹川崇男A, Robert.J. CavaB
11
化学エッチングしたTeの(0001)表面における量子輸送現象
岡大院自然, 岡山大基礎研A, 東大物性研B
秋葉和人, 浅田翔一朗, 小林夏野A, 小林達生, 肥塚遼B, 徳永将史B

12日 D12会場 12aD12 9:30〜11:45

領域4
量子ホール効果

1
分数量子Hall効果に対するdisorderのin-situ遮蔽制御の影響
NTT物性研
秋保貴史, 村木康二
2
ZnOゲートを有するInAs量子ホール系におけるエッジマグネトプラズモン
NTT物性基礎研
熊田倫雄, Ngoc Han Tu, 佐々木健一, 太田剛, 橋坂昌幸, 佐々木智, 小野満浩二, 村木康二
3
時間分解顕微分光法を用いた量子ホール系における荷電励起子ダイナミクスの研究
東北大理A, 物材機構B, CSRNC
松浦雅広A, 神山晃範A, Moore JohnA, 間野高明B, 野田武司B, 遊佐剛A, C
4
DMRG法を用いた分数量子ホール系の端状態の解析
東北大理
伊藤拓哉, 柴田尚和

休憩 (10:30〜10:45)

5
量子ホールエッジチャネル間遷移のSOI強度依存性
東大物性研
清水貴勢, 橋本義昭, 中村壮智, 遠藤彰, 勝本信吾
6
整数・分数量子ホール微小接合における電気輸送特性
NTT物性研A, JSTさきがけB
橋坂昌幸A, B, 秋保貴史A, 佐々木智A, 村木康二A
7
電流ゆらぎ測定を用いた分数電荷励起のスピン電荷分離の観測
東工大理A, NTT物性基礎研B, JST, PRESTOC
秦徳郎A, 遠藤孝晃A, 橋坂昌幸B, C, 秋保貴史B, 村木康二B, 藤澤利正A
8
量子ホールエッジチャネルにおけるLOフォノン散乱の電界制御
東工大A, NTT物性基礎研B
秋山竣哉A, 平澤太一A, 佐藤裕也A, 秋保貴史B, 村木康二B, 藤澤利正A

12日 D15会場 12aD15 9:15〜12:30

領域4
ディラック電子系

1
Thermoelectric transport coefficients of a Dirac electron gas in high magnetic fields
Univ. of Tokyo
Viktor Konye, Masao Ogata
2
ディラック電子系の電磁応答に対するゲージ不変な定式化
東大理
前橋英明, 小形正男
3
キャリア濃度制御した多層ディラック電子系Eu1-xGdxMnBi2におけるランダウ準位分裂の観測
阪大院理A, JSTさきがけB, 東北大金研C
中川賢人A, 酒井英明A, B, 鶴田圭吾A, 塩貝純一C, 木村尚次郎C, 淡路智C, 塚崎敦C, 村川寛A, 花咲徳亮A
4
強相関ディラック半金属CaIrO3におけるパルス強磁場中の巨大磁気抵抗効果
東大工A, JSTさきがけB, 筑波大C, 理研CEMSD, 東大物性研E
山田林介A, 藤岡淳B, C, 川村稔D, 大川達也A, 酒井志朗D, 平山元昭D, 有田亮太郎A, D, 橋爪大輔D, 星野学B, D, 栗原綾佑E, 徳永将史E, 十倉好紀A, D
5
圧力誘起ディラック半金属物質黒リンのNMR測定による研究
兵庫県大院理
藤井拓斗, 中井祐介, 上田光一, 赤浜裕一, 水戸毅

休憩 (10:30〜10:45)

6
アンチペロブスカイトSr3PbOにおける3次元ディラック電子の磁気輸送測定
東大理A, マックス・プランク研究所B
末次祥大A, 葉山慶平A, 北川健太郎A, A. W. RostB, J. NussB, C. MuehleB, 高木英典A, B
7
トポロジカル線ノード半金属PbTaSe2のゼーベック、ネルンスト効果の研究
阪大院理A, JST-さきがけB
横井滉平A, 村川寛A, 藤村飛雄吾A, 酒井英明A, B, 花咲徳亮A
8
強磁性ワイル半金属候補物質PrAlGeの電気伝導特性の研究
阪大院理A, 阪大先端強磁場B, JSTさきがけC
中岡優大A, 村川寛A, 横井晃平A, 駒田盛是A, 木田孝則B, 中川賢人A, 藤村飛雄吾A, 鳴海康雄B, 萩原政幸B, 酒井英明A, C, 花咲徳亮A
9
ワイル点ペアを囲むサイクロトロン軌道におけるランダウ準位の研究
阪大院理A, 東大工B, 理研CEMSC, 阪大先端強磁場D, JST-PRESTOE
駒田盛是A, 村川寛A, M. S. BahramyB, C, 木田孝則D, 横井滉平A, 鳴海康雄D, 萩原政幸D, 酒井英明A, E, 花咲徳亮A
10
少数原子層MoS2へのレーザー照射による二次元トポロジカル絶縁体相創製
青学大理工, 東大物性研A, Univ. of TexasB, Univ. Autónoma de MadridC
高橋海光, 峰彰秀, 西澤実起, 中條士, 中村武智A, 勝本信吾A, S.PacdelB, C, J.J. PalaciosB, C, 春山純志
11
少数原子層MoS2における室温量子スピンホール効果の可能性
青学大理工, 東大物性研A, Univ. of TexasB, Univ. Autónoma de MadridC
峰彰秀, 高橋海光, 西澤実起, 中條士, 中村武智A, 勝本信吾A, S.PacdelB, C, J.J. PalaciosB, C, 春山純志
12
多層ディラック電子系物質BaMnBi2の量子極限近傍における特異なランダウ準位構造
阪大院理A, JST さきがけB, 東大物性研C, 阪大先端強磁場D
近藤雅起A, 酒井英明A, B, 藤村飛雄吾A, 中川賢人A, 栗原綾佑C, 三宅厚志C, 徳永将史C, 木田孝則D, 萩原政幸D, 村川寛A, 花咲徳亮A

12日 D16会場 12aD16 9:00〜12:15

領域4
量子ドット・微小接合・光応答

1
カーボンナノチューブ量子ドットの輸送現象におけるフランク・コンドン効果II
明大理工, 慶大理工A
奥山倫, 江藤幹雄A
2
電子干渉計を用いた近藤雲の検出
理研CEMS, 香港城市大学A, KAISTB, 東大工C, Ruhr-Univ. BochumD
山本倫久, Ivan V. BorzenetsA, Jeongmin ShimB, Jason ChenC, Arne LudwigD, Andreas D. WieckD, 樽茶清悟, Heung-Sun SimB
3
単一準位量子ドットを介した断熱電荷ポンピングの量子化と電子浴の状態密度の関係
東大物性研, LPMMCA
長谷川雅大, Étienne JussiauA, Robert WhitneyA
4
量子ドット間のトンネルによる単一スピンへのスピン軌道相互作用の影響
阪大産研, ルール大ボーフムA
松本雄太, 藤田高史, H EblerA, A LudwigA, A WieckA, 大岩顯
5
量子ドット干渉計における非線形熱電輸送の量子制御性
筑波大数物
谷口伸彦
6
電子スピン共鳴を用いたシリコン酸化膜中欠陥準位の測定
産総研
中村秀司, 岡崎雄馬, 高田真太郎, 金子晋久

休憩 (10:30〜10:45)

7
超伝導体/量子ポイントコンタクト接合におけるアンドレーエフ反射
東大物性研
中村壮智, 橋本義昭, 勝本信吾
8
トレンチ型サイドゲート付き超伝導/InAs二次元電子ガス/超伝導接合の輸送特性
東大物性研
鬼嵜誠, 橋本義昭, 中村壮智, 勝本信吾
9
マグノンスピン流量子雑音
原子力機構先端研A, 中国科学院大学Kavli-ITSB
仲田光樹A, 大沼悠一B, 松尾衛B
10
レーザー加熱によるMoTe2上の局所構造相転移領域の作製と評価
東北大理, 東北大CSRN1, 東北大CSIS2
佐藤竜晟, 新美陽平, 橋本克之1, 平山祥郎1, 2
11
ファンデルワールスヘテロ構造における異常光電流効果
東大院工A, 南京大B, ケース・ウェスタン・リザーブ大学C, 理研D
赤松孝俊A, 井手上敏也A, Zhou LingB, 北村想太A, 恩河大A, 中川裕治A, Joseph LaurienzoC, 森本高裕A, Hongtao YuanB, 岩佐義宏A, D
12
対称性の破れたヘテロ構造における異常光電流の理論
東大院工A, 南京大B, ケース・ウェスタン・リザーブ大学C, 理研D
北村想太A, 赤松孝俊A, 井手上敏也A, Zhou LingB, 恩河大A, 中川裕治A, Joseph LaurienzoC, Hongtao YuanB, 岩佐義宏A, D, 森本高裕A

12日 D10会場 12pD10 13:30〜17:00

領域3(10番目のみ領域4と合同,11〜13番目のみ領域9と合同)
表面界面・薄膜・人工格子・ナノ粒子磁性

1
強磁性体/強誘電体ヘテロ界面によって発現する磁気特性
兵県大A, 理研B, 岐大C, JASRID
山口明啓A, B, 中村遼A, B, 三枝峻也A, B, 中尾愛子A, 内海裕一A, 山田啓介C, 大浦正樹B, 大河内拓雄D, B
2
強磁性体/強誘電体ヘテロ界面に誘起される磁気状態の電流応答特性
兵県大A, 理研B, 岐大C, JASRID, KAISTE
中村遼A, B, 三枝峻也A, B, 中尾愛子A, 内海裕一A, 山田啓介C, 大浦正樹B, 大河内拓雄D, B, Lee TaekhyeonE, Kim Kab-JinE, 山口明啓A, B
3
Ptナノ粒子のNMRによる研究:磁場依存性
京大院物理, 京大院化学A
奥野友則, 真砂全宏, 北川俊作, 石田憲二, 草田康平A, 小林浩和A, 北川宏A
4
X線自由電子レーザーによる時間分解共鳴磁気光学カー効果測定でみるCo/Pt薄膜の光誘起磁化ダイナミクス
東大物性研A, 東大理B, JASRIC, 理研D, 東北大金研E
山本航平A, B, Souliman El MoussaouiA, 平田靖透A, B, 山本達A, B, 久保田雄也C, D, 大和田成起C, D, 矢橋牧名D, C, 松田巌A, B, 関剛斎E, 高梨弘毅E, 和達大樹A, B
5
CoFeB/MgOおよびCoFeB/Ta界面におけるスピン・軌道磁化の磁化反転挙動
群馬大理工, JASRIA
櫻井浩, 拝詞建人, 柴山茜, 鈴木宏輔, 星和志, 辻成希A, 櫻井吉晴A
6
PEG包含Co-Zn ferriteナノ微粒子の交流磁場中における熱散逸効果および第三高調波測定
横国大院理工A, 横国大院環情B, 阪大院理C
大嶋晃人A, 神田康平B, 一柳優子A, C

休憩 (15:00〜15:15)

7
逆ペロブスカイト窒化物Mn3(Ni1-xCux)N薄膜における異常ホール効果の観測
名古屋大, Augsburg大A, Colorado州立大B
羽尻哲也, Kan ZhaoA, Hua ChenB, 三木竜太, Philipp GegenwartA, 浅野秀文
8
ゼーマン型スピン軌道相互作用による磁気異方性
原子力機構先端基礎
家田淳一, 山本慧
9
Intrinsic ferromagnetic 2D honeycomb-kagome monolayer of Cr2O3
Univ. of Tsukuba, Kobe Univ.A
Arqum Hashmi, Kenta Nakanishi, Tomoya OnoA
10
2次元磁性体Cr2Ge2Te6/酸化物2層膜の磁気特性
東北大AIMRA, パデュ大学物理天文B
井土宏A, A. E. Llacsahuanga AllccaB, X. C. PanA, 谷垣勝巳A, Y. P. ChenA, B
11
ナノ構造スラブ系の磁気異方性計算とラシュバ効果
金沢大理工, 金沢大自然A
小田竜樹, インドラ パルデデA, 吉川大輝A, 金川朋賢A, 北岡優也A, 小幡正雄
12
水素修飾による窒化銅表面上のCo単一原子のスピン状態変化
東大物性研, KITA
宮町俊生, Thomas GozlinskiA, Wulf WulfhekelA, 小森文夫
13
第一原理計算によるネオジム磁石の主相・粒界相界面の磁気結合解析
東工大物質理工
寺澤麻子, 合田義弘

12日 K12会場 12pK12 13:35〜16:55

領域4,領域3,領域8
量子ナノ物性における固体核スピンの計測と制御

1
(一般シンポジウム講演)趣旨説明
産総研
岡崎雄馬
2
(一般シンポジウム講演)ナノ構造半導体での面内核磁場形成
北大院工
足立智
3
(一般シンポジウム講演)単一電子スピンで視る核スピン浴の揺らぎと相互作用
理研CEMS
中島峻
4
(一般シンポジウム講演)半導体スピン注入を用いた核スピンの操作とその電気的検出
北大情報科学研究院
植村哲也

休憩 (15:00〜15:15)

5
(一般シンポジウム講演)走査プローブ顕微鏡による核スピン共鳴イメージング
東北大理
橋本克之
6
(一般シンポジウム講演)固体核磁気共鳴を用いた量子スピン液体の実験
名大院理
清水康弘
7
(一般シンポジウム講演)トリプレット動的核偏極への材料化学的アプローチ
九大院工
楊井伸浩
8
(一般シンポジウム講演)核スピンを用いたスピン流生成
東大総合文化
塩見雄毅

12日 K15会場 12pK15 13:30〜16:55

領域9,領域4,領域7
表面と原子層を融合した新しい2次元物質科学に向けて

1
(一般シンポジウム講演)はじめに
物材機構
内橋隆
2
(一般シンポジウム講演)角度分解光電子分光とその場伝導測定で探る表面原子層の超伝導
早稲田大
高山あかり
3
(一般シンポジウム講演)表面超構造で制御する原子層の電子物性
東大物性研
松田巌
4
(一般シンポジウム講演)表面X線回折による二次元物質の構造解明
産総研
白澤徹郎

休憩 (15:10〜15:25)

5
(一般シンポジウム講演)MBEで切り拓く2次元物質の創発物性
東大
中野匡規
6
(一般シンポジウム講演)2次元物質の新しい光機能
名大
竹延大志
7
(一般シンポジウム講演)ツイスト積層2次元物質の電子・フォノン物性
阪大
越野幹人

13日 D15会場 13aD15 9:00〜12:15

領域4
グラフェンその他1

1
ツイストした2層グラフェンのエネルギー
兵庫県立大物質理
山田彩, 長谷川泰正
2
歪を持つグラフェンhBN積層構造の電子状態
北大工
石川達也, 明楽浩史, 江上喜幸
3
グラフェンの面内ヘテロ接合における透過率
北大院工
石川俊也, 明楽浩史
4
トポロジカルな状態をもつ水素修飾グラフェンの第一原理計算II
熊大院先端科学
横井裕之
5
グラフェンナノロードにおける電子輸送特性についての第一原理計算
北大院工
工藤聖浩, 江上喜幸
6
p波超伝導体モデルにおけるGreen関数の理論
名大工
田仲由喜夫, 田村駿, Sprash Mishra

休憩 (10:30〜10:45)

7
原子層物質のエッジ状態の理論的研究
名大工
小林宜永, 矢田圭司, 田仲由喜夫
8
AB積層グラフェンの固有抵抗ピーク
広大先端, 物材機構A
八木隆多, 中須賀智彰, 平原大暉, 田島慎吾, 堀井幸多, 戎岡亮哉, 渡邊賢司A, 谷口尚A
9
垂直電場によって生じるAB積層グラフェンのミニ・ディラックコーン
広大先端, 物材機構A
八木隆多, 堀井幸多, 中須賀智彰, 田島慎吾, 戎岡亮哉, 渡邊賢司A, 谷口尚A
10
薄膜CrCl3における低温磁場下フォトルミネッセンス
東大院工A, 阪大産研B, Max-Plank Inst.C, 理研CEMSD
恩河大A, 久保田樹A, 張奕勁B, C, 井手上敏也A, Jurgen SmetC, 岩佐義宏A, D
11
薄膜CrCl3のフォトルミネセンス特性
東大院工A, 理研CEMSB
久保田樹A, 恩河大A, 井手上敏也A, 岩佐義宏A, B
12
50 T超までの薄膜グラファイト電子相図
東大物性研
田縁俊光, 長田俊人, 三宅厚志, 徳永将史

13日 D16会場 13aD16 9:30〜11:45

領域4
トポロジカル半金属・超伝導(実験)

1
SrxBi2Se3への一軸ひずみ印可によるネマティック超伝導の制御
京大院理A, ケルン大学B
Ivan KostylevA, 米澤進吾A, Zhiwei WangB, 安藤陽一B, 前野悦輝A
2
CuxBi2Se3超伝導体の作製と物性測定II
岡山大院自然
神鳥吉史, 河合哲大, 厚朴優樹, 俣野和明, 神戸高志, 鄭国慶
3
トポロジカル超伝導体Fe(Se,Te)におけるゼロエネルギー渦糸芯束縛状態への渦糸間相互作用による影響
理研 CEMS, 青学大理工A, 東大院工B, 東工大フロンティア研C, 中国科学院大 KITSD
町田理, 孫悦A, 卞舜生B, 竹田駿C, Ching-Kai ChiuD, 幸坂祐生, 花栗哲郎, 笹川崇男C, 為ヶ井強B
4
層状逆ペロブスカイト型酸化物の合成と低温物性
京大院理
池田敦俊, 鯉渕駿, 川口真世, 米澤進吾, 前野悦輝

休憩 (10:30〜10:45)

5
The polarized topological surface states of type II Weyl semimetal WTe2 studied by laser-ARPES
東大理A, 東大物性研B, cQMS Rutgers Univ.C
Yuxuan WanA, B, Lihai WangC, Keisuke KoshiishiA, Masahiro SuzukiA, Jaewook KimC, Kenta KurodaB, Ryo NoguchiB, Koichiro YajiB, Ayumi HarasawaB, Shik ShinB, Takeshi KondoB, Sang-Wook CheongC, Atsushi FujimoriA
6
量子振動から見た2M-WS2の電子状態
NIMS, NHMFLA, SICCASB, 北京大C, 中科院大D, NLSSM, 南京大E, CICAMF, 精華大G, CICQMH, 上海科技大I, SIMITJ
廣瀬陽代, 寺嶋太一, 菊川直樹, David GrafA, Yuqiang FangB, C, D, Jie PanB, Dongqin ZhangE, F, Dong WangB, Yonghao YuanG, H, Wei LiG, H, Zhen TianI, Jiamin XueI, Yonghui MaJ, Wei ZhaoB, Qikun XueG, Gang MuJ, Haijun ZhangE, F, Fuqiang HuangB, C, 宇治進也
7
Observation of possible topological surface states in a superconductor TaSe3 by laser-ARPES
Univ. of Tokyo, Tokyo Univ. of Sci.A, Hokkaido Univ.B, Gakushuin Univ.C
Chun Lin, Ryo Noguchi, Kenta Kuroda, Peng Zhang, Shunsuke Sakuragi, Jiadi Xu, Koichiro Yaji, Ayumi Harasawa, Shik Shin, Atsushi NomuraA, Masahito SakodaB, Masakatsu TsubotaC, Satoshi TandaB, and Takeshi Kondo
8
イオン液体を用いてゲート制御した磁性3Dトポロジカル絶縁体の輸送特性
名大工A, 東工大フロンティア研B, 産総研C, 北大工D
矢野力三A, 津村公平A, 廣瀬陽代B, 山本將裕A, 小柳正男C, 柏谷裕美C, 浅野泰寛D, 笹川崇男B, 柏谷聡A, C

13日 K15会場 13aK15 9:00〜12:00

領域9(1番のみ領域4と合同)
表面ナノ構造物性・顕微分光

1
スピン偏極STM発光分光法を用いた原子精度でのスピン注入と磁気二色性の観測
理研
山本駿玄, 今田裕, 金有洙
2
単一分子接合系における光電変換に関する理論解析
ノースウエスタン大学A, 理研SISLB, 東大新領域C, カリフォルニア大学サンディエゴ校D
三輪邦之A, B, 今田裕B, 木村謙介B, C, 今井みやびB, C, 金有洙B, Michael GalperinD
3
4,4’-ビピリジン単分子接合における電気計測と分光計測を利用した金属-分子界面構造の制御と観察
東工大理A, 物材研MANAB, JSTさきがけC
小林柊司A, 金子哲A, C, 塚越一仁B, 木口学A
4
4-アミノチオフェノール単分子接合における表面増強ラマン散乱強度のバイアス電圧依存性
東工大理A, 物材機構 MANAB, JSTさきがけC
金子哲A, C, 安良岡浩司A, 塚越一仁B, 木口学A
5
金属探針による吸着CO分子の振動状態の変化
金沢大理工, DIPCA, Regensburg Univ.B, Linnaeus Univ.C
岡林則夫, Thomas FrederiksenA, Ferdinand HuberB, Sonia MatencioB, Magnus PaulssonC, Franz J GiessiblB
6
Ag(111)上の固体酸素の走査型プローブ顕微鏡観察
東大新領域
杉本宜昭, 木村光男

休憩 (10:30〜10:45)

7
Scanning tunneling Microscopy study of Electronic and Spin states of Single molecule magnet.
Dept. Chem., Tohoku Univ., IMRAM, Tohoku Univ.A
Islam Saiful, S.M.F. ShahedA, Tadahiro KomedaA, Keiichi Katoh, Masahiro Yamashita
8
Cu(001)基板上の窒化コバルト鉄膜の作製と構造評価
東大物性研
服部卓磨, 飯盛拓嗣, 宮町俊生, 小森文夫
9
コア-シェル型Co-Niナノ構造における電子定在波の形成
東北大AIMR, 東北大多元研A
岡博文, 米田忠弘A
10
β-FeSi2/Si(001)表面のトンネル分光測定
物材機構, 横浜国大A
鷺坂恵介, 艸分倫子, 青柳良英A, 大野真也A
11
Fe/水素終端Si(111)界面形成初期段階の微視的構造と局所電子状態
東北大院理
江口豊明, 川口諒, 須藤彰三

13日 D15会場 13pD15 13:30〜16:15

領域4,領域7合同
グラフェンその他2

1
2層グラフェンにおける弱磁場磁気抵抗効果
東工大理学院, 豊田理研, 成均館大学
安藤恒也
2
一般の角度非整合二層系における平坦バンド
NIMS-MANA, ハーバード大A
苅宿俊風, Ashvin VishwanathA
3
複数層h-BN原子膜における電子構造と不純物状態
東工大理
芳賀太史, 松浦雄斗, 藤本義隆, 斎藤晋
4
二次元の各種ブラベー格子の周期で構造修飾されたグラフェンの電子構造
東工大理
伊藤智哉, 斎藤晋
5
非平衡グリーン関数法による低次元ニクトゲン(As, Sb, Bi)の熱電パワーファクター計算
東理大理
鈴木康光, 吉里政志, 渡辺一之

休憩 (14:45〜15:00)

6
高移動度2層グラフェンに対する電界閉じ込めによる量子構造の形成
千葉大院工A, 成均館大B, 物材機構C, バッファロー大D
坂梨昂平A, 村瀬健太郎A, 和田直人A, G.-H. KimB, 渡邊賢司C, 谷口尚C, J.P. BirdD, 青木伸之A
7
アンチドット構造の磁気整合効果によるグラフェンのフェルミ面形状の層数に依存した進展の観測
広島大院先端物質, 物材機構A
田島慎悟, 岡卓志, 戎岡亮哉, 八木隆多, 谷口尚A, 渡邊賢司A
8
Electronic properties of bilayer graphene under an enormous electric field
Res. Inst. for Interdisciplinary Sci., Okayama Univ., Res. Center for Organic Electronics, Yamagata Univ.A
Lei Zhi, Hidenori Goto, Akihisa Takai, Ritsuko Eguchi, Takao NishikawaA, Shizuo TokitoA, Yoshihiro Kubozono
9
h-BN/ダイヤモンドヘテロ界面に形成される二次元ホール系の量子振動
物材機構A, 筑波大数理B
笹間陽介A, B, 小松克伊A, 森山悟士A, 井村将隆A, 杉浦栞理A, 寺嶋太一A, 宇治進也A, B, 渡邊賢司A, 谷口尚A, 内橋隆A, 山口尚秀A, B
10
分子吸着によるグラフェンの散乱効果II
岡山大基礎研
高井彰久, 後藤秀徳, Zhi Lei, 江口律子, 久保園芳博
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